Samsung Electronics đã đạt được một cột mốc công nghệ quan trọng khi đảm bảo phê duyệt sẵn sàng sản xuất cho công nghệ DRAM thế hệ thứ sáu của mình. Theo Korea Herald đưa tin, các nguồn tin trong ngành đã xác nhận vào thứ Ba rằng công ty đã nhận được sự cho phép nội bộ để sản xuất hàng loạt, đánh dấu sự hoàn thành của quy trình tiên tiến 10 nm (gọi là 1c DRAM). Các nguồn tin trước đây đã nói rằng Samsung đã có thể đạt được tỷ lệ năng suất 50-70% trong quá trình thử nghiệm quy trình 1c DRAM vì công ty dường như có thể tuân thủ mốc thời gian dự kiến là khoảng hai năm giữa các thế hệ sản phẩm.
Sự phát triển này có ý nghĩa đặc biệt đối với chiến lược bộ nhớ băng thông cao (HBM) của Samsung vì công ty có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 trong nửa cuối năm nay bằng cách sử dụng công nghệ DRAM thế hệ thứ sáu mới được phát triển. Vào tháng 5, Samsung Electronics đã công bố việc áp dụng công nghệ liên kết lai cho các ngăn xếp bộ nhớ HBM4 trong tương lai. Việc triển khai này nhằm mục đích giảm điện trở nhiệt đồng thời cho phép các giao diện bộ nhớ siêu rộng, giải quyết các yêu cầu về băng thông và hiệu quả ngày càng tăng của trí tuệ nhân tạo và các ứng dụng điện toán hiệu suất cao.
SK Hynix, hiện đang thống trị thị trường HBM, họ cũng đã phát triển HBM4 bằng công nghệ DRAM thế hệ thứ năm và bắt đầu cung cấp các mẫu HBM4 cho các khách hàng lớn vào tháng 3, nhắm đến các mốc thời gian sản xuất tương tự vào nửa cuối năm nay. Tuy nhiên, Samsung phải đối mặt với các yêu cầu về trình độ quan trọng sắp tới vì công ty phải cung cấp các mẫu HBM4 và hoàn thành thành công thử nghiệm trình độ của NVIDIA để đảm bảo các hợp đồng cung cấp khối lượng lớn. Ngoài ra, Samsung vẫn đang chờ phê duyệt trình độ cho sản phẩm HBM3E 12 lớp của mình trong khi cung cấp cho AMD và tìm kiếm các thỏa thuận cung cấp với NVIDIA.
