Samsung đang chuẩn bị ra mắt dòng sản phẩm Samsung Galaxy Tab S10 FE cho các thị trường toàn cầu, bao gồm cả Việt Nam, theo những thông tin rò rỉ gần đây. Samsung Galaxy Tab S10 FE+ hiện đã nhận được chứng nhận FCC, cho thấy việc ra mắt của nó sẽ sớm diễn ra trên các thị trường toàn cầu. Chứng nhận này xác nhận việc ra mắt các phiên bản Wi-Fi-only và 5G.
Table of Contents
Chứng nhận FCC của Samsung Galaxy Tab S10 FE+
- Chứng nhận FCC đã liệt kê Samsung Galaxy Tab S10 FE+ với các số model SM-X620 và SM-X626B cho các phiên bản Wi-Fi-only và 5G, như đã được Xpertpick phát hiện.
- Trang thông tin trạng thái xác nhận rằng Galaxy Tab S10 FE+ sẽ hỗ trợ công nghệ sạc nhanh có dây 45W.
- Phiên bản 5G sẽ hỗ trợ các băng tần 5G n1, n3, n5, n7, n8, n20, n26, n28, n38, n40, n41, n66, n71, n77 và n78.
- Tài liệu sơ đồ cho thấy máy chỉ có một camera ở mặt sau.
- Máy sẽ có kích thước 300,56 x 194,7mm và trang bị màn hình 13 inch với kích thước đường chéo 332,7mm.
- Danh sách này cũng tiết lộ hỗ trợ Wi-Fi 802.11ax, SPen và khe cắm thẻ microSD.
Giá và thông số kỹ thuật của Samsung Galaxy Tab S10 FE+ (dự kiến)
Một báo cáo gần đây đã tiết lộ rằng Galaxy Tab S10 FE+ sẽ có giá khởi điểm từ $649 (khoảng 15.000.000 VND) và $749 (khoảng 24.000.000 VND) cho phiên bản 8GB + 128GB và 12GB + 256GB. Tipster Sudhanshu Ambhore cũng cho biết các phiên bản 5G sẽ có giá bán lần lượt là €849 (khoảng 26.500.000 VND) và €949 (khoảng 30.000.000 VND).
- Màn hình: Galaxy Tab S10 FE+ dự kiến sẽ có màn hình LCD 13 inch với tần số quét 120Hz.
- Vi xử lý: Máy sẽ được trang bị SoC Exynos 1580, được tìm thấy gần đây trong mẫu Samsung Galaxy A56 5G tầm trung. Thiết bị sẽ chạy trên One UI 7 dựa trên Android 15 ngay từ khi xuất xưởng.
- Bộ nhớ, lưu trữ: Samsung sẽ ra mắt máy tính bảng này với tối đa 12GB RAM và 256GB bộ nhớ trong. Máy cũng sẽ hỗ trợ mở rộng bộ nhớ qua khe cắm thẻ microSD.
- Máy ảnh: Về phần camera, Galaxy Tab S10 FE+ sẽ có camera sau 13MP và camera selfie 12MP.
- Pin, sạc: Galaxy Tab S10 FE+ sẽ có pin lớn 10.090mAh với hỗ trợ sạc nhanh có dây 45W.
