g.skill | Vietnam Blog

Bộ Nhớ G.Skill Lập Kỷ Lục Ép Xung Lên Đến DDR5-12872 Cùng Chuyên Gia Ép Xung Người Phát – bl4ckdot

Tôn Bảo — Tue, 15 Jul 2025 08:04:02 +0000

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., thương hiệu ép xung bộ nhớ hiệu năng cao hàng đầu thế giới, hân hạnh thông báo rằng chuyên gia ép xung cực đỉnh nổi tiếng của Pháp, bl4ckdot, đã thiết lập kỷ lục ép xung thế giới mới về tần số bộ nhớ DDR5 nhanh nhất ở mức DDR5-12872. Kỷ lục tần số đáng kinh ngạc này được tạo ra với một module bộ nhớ G.SKILL Trident Z5 DDR5 24 GB, được tích hợp IC SK hynix DDR5 hiệu năng cao, chạy trên bo mạch chủ ASUS ROG Maximus Z890 Apex và bộ vi xử lý máy tính để bàn Intel Core Ultra 9 285K dưới hệ thống làm mát bằng nitơ lỏng (LN2).

Cột mốc đáng chú ý này đã vượt qua các kỷ lục tần số bộ nhớ trước đó và đánh dấu một thành tựu nữa trong hành trình theo đuổi ép xung bộ nhớ cực đỉnh. Điểm số này được xác nhận trên cả HWBOT và CPU-Z. Vui lòng tham khảo các trang sau để biết thêm chi tiết.

Xác thực trên HWbot
Xác thực trên CPU-Z

bl4ckdot là một chuyên gia ép xung cực đỉnh hàng đầu của Pháp và nổi tiếng với việc đẩy phần cứng vượt qua giới hạn của chính nó để theo đuổi các kỷ lục ép xung. Anh cũng là một trong những thí sinh vòng loại trực tiếp của cuộc thi G.SKILL OC World Cup 2025 và đã nỗ lực phá vỡ kỷ lục thế giới về tần số DDR5 trước và sau thời gian diễn ra Computex.

“Chúng tôi tự hào khi thấy bộ nhớ G.SKILL Trident Z5 một lần nữa phá vỡ mọi giới hạn”, Frank Hung, Giám đốc Tiếp thị của G.SKILL, chia sẻ. “Thành tích này một lần nữa chứng minh cam kết của G.SKILL về hiệu suất ép xung bộ nhớ.”

The post Bộ Nhớ G.Skill Lập Kỷ Lục Ép Xung Lên Đến DDR5-12872 Cùng Chuyên Gia Ép Xung Người Phát – bl4ckdot first appeared on Vietnam Blog.

G.Skill Ra Mắt Kit Nhớ DDR5 128GB và 256GB Tốc Độ Cao

Tôn Bảo — Thu, 10 Jul 2025 08:07:20 +0000

G.Skill đã phát hành một số bộ nhớ tốt nhất của thế hệ DDR5 và chúng không có dấu hiệu chậm lại. Tuần này, G.Skill ra mắt các mô-đun DDR5 64GB hiệu suất cao mới, cung cấp tốc độ lên đến 6400MT/giây và dung lượng lên đến 256GB.

Có hai kit bộ nhớ DDR5 ép xung mới của G.Skill đang tung ra thị trường. Kit đầu tiên có thông số kỹ thuật là bộ nhớ DDR5-6000 CL32 256GB (64GBx4) và kit bộ nhớ DDR5-6400 CL36 128GB (64GBx2). Được thiết kế cho điện toán hiệu suất cao, sáng tạo nội dung, ứng dụng AI và máy trạm chuyên nghiệp, các thông số kỹ thuật của bộ mới này kết hợp độ trễ cực thấp với dung lượng bộ nhớ lớn dựa trên các mô-đun 64GB.

Kit bộ nhớ 256GB CL32 DDR5-6000 có cấu hình AMD EXPO OC, vì vậy những người sử dụng PC hiện đại dựa trên AM5 sẽ không gặp vấn đề gì khi chạy bộ nhớ ở mức tiềm năng tối đa. Kit nhớ CL36 DDR5-6400 128GB có cấu hình Intel XMP thay thế, vì vậy bạn sẽ cần một PC chạy Intel tương thích DDR5 để tận dụng tối đa các mô-đun này.

Các bộ mới hiện đang được chuyển đến các nhà bán lẻ trên toàn thế giới, vì vậy bạn sẽ có thể tìm thấy chúng bắt đầu từ tháng này.

The post G.Skill Ra Mắt Kit Nhớ DDR5 128GB và 256GB Tốc Độ Cao first appeared on Vietnam Blog.

G.Skill Trình Diễn Mô-đun CAMM2 DDR5 Được Ép Xung Lên Đến DDR5-10000

Tôn Bảo — Fri, 04 Jul 2025 02:19:06 +0000

G.Skill đã công bố một cột mốc quan trọng trong quá trình hợp tác với nhóm Asus ROG. Cùng nhau, họ đã thành công trong việc đẩy ranh giới của hệ số dạng DDR5 CAMM2 mới, đạt được hoạt động ổn định của Memtest ở tốc độ bộ nhớ DDR5-10000 với mô-đun CAMM2 dung lượng 64GB.

Thành tích đột phá này đã đạt được trên bo mạch chủ Asus ROG Maximus Z890 Hero CAMM2 tùy chỉnh đã được sửa đổi, được cung cấp năng lượng bởi bộ xử lý máy tính để bàn Intel Core Ultra 7 265K.

Thành tích này đại diện cho một bước tiến sớm nhưng quan trọng trong việc khám phá và cho phép các thông số ép xung bộ nhớ cực đại trên các nền tảng phần cứng trong tương lai. Bản trình diễn giới thiệu mô-đun CAMM2 64GB, ép xung lên DDR5-10000 với thời gian CL52, hoàn thành phạm vi phủ sóng Memtest 100%, chứng minh rằng nó hoàn toàn ổn định khi chạy ở tốc độ này.

Hệ số dạng CAMM2 (Mô-đun bộ nhớ nén đính kèm) được thiết kế để có khả năng thay thế các mô-đun SO-DIMM và thậm chí UDIMM truyền thống trong một số ứng dụng nhất định. Nó có những ưu điểm về diện tích vật lý, tính toàn vẹn của tín hiệu và tốc độ có thể cao hơn. Thiết kế phẳng, gắn nén của nó cho phép có cấu hình mỏng hơn, đặc biệt có lợi cho các thiết bị điện toán nhỏ gọn và máy tính xách tay.

The post G.Skill Trình Diễn Mô-đun CAMM2 DDR5 Được Ép Xung Lên Đến DDR5-10000 first appeared on Vietnam Blog.